RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
34
Autour de -6% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2854
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link