RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
35
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
14.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
35
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
14.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
10.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2768
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905712-016.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3000D 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G6E1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link