RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB vs Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Note globale
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
42
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.8
11.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.3
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
34
42
Vitesse de lecture, GB/s
16.8
11.1
Vitesse d'écriture, GB/s
11.3
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2968
2551
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GXM 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905701-017.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GIS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link