RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
34
Autour de 18% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
34
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
14.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
11.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2826
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KHX2133C14D4/8G 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-2400C10-8GTX 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002S 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link