RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
39
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
39
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
10.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2423
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3000C15 4GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0B 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link