RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de -33% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.9
18.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
21.0
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
21
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
20.9
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
21.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
4250
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Apacer Technology 78.DAGRL.4050C 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Kllisre 0000 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link