RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Note globale
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
35
Autour de 20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
10.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
35
Vitesse de lecture, GB/s
18.2
15.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.5
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3067
2773
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F3-2666C11-8GTXD 8GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston ACR26D4S9S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston XW21KG-HYD-NX 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZR 32GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston HP26D4S9S8MD-8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GSAG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.DFC0B 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link