RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
28
Autour de 25% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
9.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
10600
Autour de 2.42 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
28
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
9.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
25600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2932
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Apacer Technology 78.DAGP2.4030B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Mushkin MRB4U300GJJM16G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link