RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
32
Autour de 34% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.4
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
15.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
3579
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZKK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link