RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
25
Autour de 16% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
11.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
25
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
11.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2129
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Corsair CM4X4GF2400C16S2 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link