RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
23
Autour de 9% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.6
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
10600
Autour de 2.01 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
23
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
13.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
21300
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2545
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C15 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston KHX3000C16D4/32GX 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link