RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Comparez
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB vs Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Note globale
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Note globale
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
21
54
Autour de 61% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
8.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
23400
10600
Autour de 2.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
21
54
Vitesse de lecture, GB/s
17.4
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.2
8.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
23400
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 26
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3130
2259
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB Comparaison des RAM
Corsair CMY32GX3M4B2666C11 8GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2800C16 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/4G 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FAD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link