RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Comparez
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB vs G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Note globale
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
22.2
21.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.6
16.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
31
Autour de -3% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
30
Vitesse de lecture, GB/s
22.2
21.7
Vitesse d'écriture, GB/s
17.6
16.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
17000
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3938
3806
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB Comparaison des RAM
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
G Skill Intl F4-3800C14-16GTZN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Kingston 9905624-019.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link