RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
29
Autour de 14% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.1
18.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.8
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
29
Vitesse de lecture, GB/s
20.1
18.5
Vitesse d'écriture, GB/s
16.8
14.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4060
3434
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 99U5665-001.A00G 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905624-043.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link