RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Comparez
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
39
Autour de 31% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.6
11.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.6
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
39
Vitesse de lecture, GB/s
18.6
11.5
Vitesse d'écriture, GB/s
16.6
9.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3938
1881
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
SK Hynix HMA451U7AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
A-DATA Technology 11137401 8GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link