RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
99
Autour de 71% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
14.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
6.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
99
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
6.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
1386
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB Comparaison des RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link