RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
38
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
9.3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
6.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
38
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
9.3
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
6.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
19200
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
2107
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MB-16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link