RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Comparez
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB vs Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Note globale
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
34
Autour de 15% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
24
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
20.0
12.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
17000
Autour de 1.25 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
34
Vitesse de lecture, GB/s
24.0
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
20.0
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
21300
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4156
2830
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTZR 32GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Asgard VMA45UG-MIC1U22T2 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link