RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Comparez
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB vs Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
14
29
Autour de 52% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
25.1
17.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.3
14.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
14
29
Vitesse de lecture, GB/s
25.1
17.8
Vitesse d'écriture, GB/s
19.3
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4182
3597
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR3-2800 CL12 8GB 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD32G16002 2GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FADP 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Micron Technology 16HTF12864AY-40EB1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
ISD Technology Limited 8GBF1X08QFHH38-135-K 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link