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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Comparez
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Note globale
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Note globale
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
29
Autour de 10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
17
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.6
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
29
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
15.7
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3867
3140
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaison des RAM
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Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
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Kingston KF560C40-16 16GB
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