RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Comparez
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB vs Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Note globale
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Note globale
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
10.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
8.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR5
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
10.8
Vitesse d'écriture, GB/s
15.7
8.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
19200
Other
Description
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3867
2349
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.CAGN7.4000C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link