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Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Comparez
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB vs G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Note globale
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
26.4
25.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.8
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
14
14
Vitesse de lecture, GB/s
26.4
25.1
Vitesse d'écriture, GB/s
19.8
19.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
4362
4182
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB Comparaison des RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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