RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
62
Autour de -77% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.6
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2607
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
G Skill Intl F5-5600U3636C16G 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston 9905712-009.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4BL.M8FB 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link