RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
62
Autour de -158% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
12.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2517
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Avant Technology W641GU42J5213N3 8GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Corsair CMT32GX4M4Z3200C16 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link