Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Note globale
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Note globale
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Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB

Différences

  • Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
    3 left arrow 22.8
    Valeur moyenne dans les tests
  • En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
    29 left arrow 62
    Autour de -114% latence réduite
  • Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
    16.9 left arrow 1,843.6
    Valeur moyenne dans les tests
  • Bande passante mémoire plus élevée, mbps
    21300 left arrow 6400
    Autour de 3.33 bande passante supérieure

Spécifications

Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8GB
Principales caractéristiques
  • Type de mémoire
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latence dans PassMark, ns
    62 left arrow 29
  • Vitesse de lecture, GB/s
    3,556.6 left arrow 22.8
  • Vitesse d'écriture, GB/s
    1,843.6 left arrow 16.9
  • Largeur de bande de la mémoire, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Description
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Vitesse d'horloge
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
    542 left arrow 3792
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Dernières comparaisons