RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
18.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
15.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3583
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology BLM8G44C19U4BL.M8FE1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G24002 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Shenshan (Shenzhen) Electronic KZ26UE5116TZR8 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link