RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
12.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2941
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8ET 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FBD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU48J7240ND 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link