RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
62
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2974
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CM4B8G2J2666A15D 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-2400C16-4GFX 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M8Z2933C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link