RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
62
Autour de -88% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.1
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
33
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
11.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2854
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM48GU88N21-FFFHM 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/4G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston 99U5469-046.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBR2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston HP26D4U9D8HC-16X 16GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link