RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
62
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.2
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2987
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFT 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMSO32GX4M2A2133C15 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
Kingston 9965447-056.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link