RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
62
Autour de -158% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.4
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
24
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2479
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GVR 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K4D 16GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M2Z4000C18 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston CBD32D4S2D8HD-16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link