RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.2
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
11.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2810
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3600C18 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMW256GX4M8E3200C16 32GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston HP24D4U7S8MH-8 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link