RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
19
62
Autour de -226% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
19
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.1
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2994
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5704-001.A00G 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1B1 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8C
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link