RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3832
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston 9965604-001.D00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMAA4GS6MJR8N-VK 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL32A8TS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link