RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
20.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
20
62
Autour de -210% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
20
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
20.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
15.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3632
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/8G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston CAC24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KX830D-ELC 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston K1CXP8-MIE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link