RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
18
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de -130% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.9
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
27
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
18.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
13.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3429
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVR 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N190A 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link