RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
62
Autour de -114% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
29
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
16.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3687
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link