RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
21
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
62
Autour de -148% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
19.4
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
25
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
21.0
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
19.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
4129
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FE 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link