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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
62
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3098
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
PNY Electronics 64C0MHHHJ-HS 4GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
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