RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
45
62
Autour de -38% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
45
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3102
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9905625-074.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK128GX4M4A2666C16 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 8JTF51264AZ-1G6E1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link