RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
62
Autour de -77% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
9.8
3
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
6400
Autour de 2.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
35
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
9.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
17000
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2126
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N-TF 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL30A8TX5 8GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link