RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
19.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
36
62
Autour de -72% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
36
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
19.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
11.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3256
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVK 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FB 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FE 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link