RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
62
Autour de -138% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
26
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
14.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2890
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.M16FE1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link