RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
32
62
Autour de -94% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.7
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
32
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
11.8
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
8.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2585
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2800C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
‹
›
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link