RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
10.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
50
62
Autour de -24% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
50
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
10.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
7.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2248
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.111881.002 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GVK 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link