RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.7
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
62
Autour de -107% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.8
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
30
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.7
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3406
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3200C16 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-8GRS 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3200C16 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology C 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GSLG42F-18---------- 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link