RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
62
Autour de -121% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
28
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
17.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3366
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Super Talent F24EB8GS 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link