RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
62
Autour de -82% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
34
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2739
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMV8GX4M1A2400C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link