RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
37
62
Autour de -68% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.4
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
6400
Autour de 4 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
37
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
14.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
25600
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
3419
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G28HA-21P 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
Corsair CMW32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9965604-027.D00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link