RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
64
Autour de 3% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
17.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.3
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
64
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
17.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
9.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
2205
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3200C22-32GRS 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link